삼성전자가 10일(현지시간) 미국 산타클라라 컨벤션 센터에서 열린 '플래시 메모리 서밋 2016'에서 차세대 V낸드 솔루션을 공개하고, 플래시 메모리의 새로운 가능성을 제시했다.

'플래시 메모리 서밋'은 매년 미국서 개최되는 세계 최대 플래시 메모리 업계 콘퍼런스로, 올해는 지난 8일부터 11일까지 열렸다.

삼성전자는 이번 서밋에서 4세대(64단) V낸드 기술을 바탕으로 3차원 메모리기술 리더십을 공고히 하고, 빅데이터 시대를 맞아 초고용량의 '테라' 시대를 주도해 나간다는 중장기 전략을 공개했다.

빅데이터의 증가와 고속 처리, 데이터센터 관리 비용 절감 등 시장 요구에 맞춰 고용량, 고성능, 초소형 솔루션으로 기업 고객들의 IT 투자 효율을 극대화 하겠다는 것.

이와 관련, 삼성전자는 기존 3세대(48단) 제품 대비 적층 단수를 30% 높인 4세대 V낸드와 고용량 서버용 32테라바이트(TB) SAS SSD, 울트라 슬림 PC용 1RB BGA NVMe SSD, 하이엔드용 Z-SSD 등 혁신적인 4세대 V낸드 기반 신제품을 선보였다.

삼성전자에 따르면 4세대 V낸드는 데이터를 저장하는 3차원 셀(Cell)을 기존(48단)보다 1.3배 더 쌓아 올리는 삼성전자의 혁신 기술이 적용된 제품이다. 4세대 V낸드는 512Gb까지 구현 가능해 고용량 제품을 소형 패키지로 만들 수 있으며, 입출력 속도를 800Mbps까지 향상시켰다.

삼성전자는 세계 최초로 4세대 V낸드 기반 솔루션 제품을 올해 4분기에 출시할 예정이다.

이와 함께 삼성전자는 4세대 V낸드를 탑재해 16TB인 기존 제품보다 용량을 2배 높인 세계 최대 용량의 32TB 서버 SSD를 내년 중 출시할 예정이다. 기존 HDD로 구성된 시스템(2 rack 기준)을 32TB SAS SSD로 대체할 경우 시스템의 물리적인 공간을 약 1/40로 줄일 수 있다는 설명이다.

삼성전자는 오는 2020년까지 100TB이상 초고용량 SSD를 개발해 테라 SSD 대중화를 선도하고 데이터센터와 기업용 스토리지 SSD 시장을 지속 선점한다는 방침이다.

삼성전자는 삼성전기와 고집적 패키지 기술(FO-PLP)을 공동 개발해 1센트 동전 크기의 초소형 1TB BGA NVMe SSD를 내년 중 출시할 예정이다. 연속 읽기속도는 기존 SSD보다 3배 빠른 1500MB/s이며, 고속 쓰기(Turbo Write) 기술을 적용해 쓰기속도도 900MB/s에 이른다.

이는 고해상도 풀HD급 영화 1편(5GB)을 약 3초에 전송하고, 약 6초에 저장할 수 있는 속도다. 이 제품은 기존 제품 대비 크기를 50% 이상 줄여 대용량 배터리 탑재 공간 확보 등 울트라 슬림 PC의 디자인 유연성 향상에 크게 기여할 것으로 기대된다.

삼성전자는 NVMe SSD 대비 응답시간은 4배 이상, 연속 읽기속도는 1.6 배 빠른 Z-SSD를 선보였다. Z-SSD는 V낸드, 컨트롤러 등 최적화된 동작회로를 구성해 스토리지의 성능을 더욱 높인 초고성능 하이엔드 SSD 제품으로, 내년 중 출시될 예정이다.

Z-SSD는 빅데이터 분석, 서버용 캐시 등 실시간 분석이 요구되는 고성능 시장에 최적의 솔루션을 제공할 것으로 기대된다.

삼성전자 메모리사업부 전영현 사장은 "고객들에게 4세대 V낸드 기반 고용량, 고성능, 초소형 솔루션을 제공해 스토리지 시스템의 TCO(Total Cost of Ownership) 절감 효과를 극대화할 수 있게 됐다"며 "향후 독보적인 V낸드 기술을 바탕으로 스토리지 사업 영역을 지속 확대해 나갈 것"이라고 밝혔다.

삼성전자는 지난 2013년 세계 최초로 V낸드(1세대, 24단)를 양산하며 3차원 메모리 반도체 시대를 개척하고, 매년 적층 단수를 늘리며 고객들에게 삼성전자만의 차별화된 V낸드 솔루션을 제공해왔다.

삼성전자는 앞으로도 차별화된 V낸드 솔루션 제품 출시와 글로벌 고객들과의 기술 협력 확대를 통해 프리미엄 메모리 시장을 지속 선도할 계획이다.