삼성전자가 SAP(에스에이피)와 차세대 인메모리 플랫폼 연구 개발을 위한 공동 리서치센터를 10월부터 운영한다고 29일 밝혔다.

인메모리 데이터베이스는 중앙처리장치(CPU)의 정보를 처리하는 메인 메모리(주기억장치)에 초대용량의 데이터를 저장해 처리 속도를 크게 향상시키는 기술

이와 관련, 삼성전자와 SAP는 이날 경기도 화성시 삼성전자 부품연구동(DSR)에서 삼성전자 메모리사업부 전영현 사장과 SAP 아시아 태평양 지역 어데어 폭스 마틴 회장 등이 참석한 가운데 공동 리서치센터 개소식을 가졌다.

삼성전자에 따르면 이번 공동 리서치센터 설립은 메모리 시장 1위인 삼성전자와 기업용 소프트웨어 분야의 선도 기업인 SAP가 지난해 인메모리 플랫폼 'SAP HANA'의 공동 기술 개발에 합의하면서 이뤄졌다.

또 삼성전자 메모리사업부와 SAP HANA 개발 조직인 SAP 랩스 코리아(Labs Korea) 간의 협업은 큰 역할을 했다.

지난 6월 양사는 차세대 초고속·고용량 D램 모듈과 인메모리 기술 개발을 위한 '차세대 인메모리 플랫폼 개발 업무협약(MOU)'을 체결하는 등 공동 리서치센터 운영 준비에 박차를 가해 왔다.

삼성전자 DSR에 설립된 공동 리서치센터는 소형 데이터센터를 운영하는 전용 서버 룸과 양사 연구개발 임직원이 근무하는 사무실로 구성됐다.

양사는 글로벌 고객들이 'SAP HANA'를 도입하기 전, 리서치센터에서 시험 운용 등 제반 지원을 통해 고객들에게 최적의 솔루션을 제공할 계획이다. 또 인메모리 시스템용 초고용량 메모리 개발과 도입을 위한 제반 평가도 진행된다.

특히 양사는 20나노 D램 기반 128GB 3DS(3차원 수직 적층) 모듈을 탑재해 단일 서버로 최대 24TB급의 인메모리 플랫폼 'SAP HANA'를 구현한 데 이어, 향후 10나노급 D램 기반 256GB 3DS 모듈을 탑재해 차세대 시스템의 성능을 더욱 향상시킬 계획이다.

시스템 운영 소비전력도 최소화해 고객들의 IT 투자 효율을 높인 솔루션을 개발할 계획도 세웠다.

삼성전자 메모리사업부 전영현 사장은 "10나노급 D램 양산으로 SAP의 차세대 인메모리 시스템에 최적의 솔루션을 적기에 제공할 수 있게 됐다"며 "향후 기술 리더십을 더욱 강화해 초고용량 메모리 시대를 지속 주도해 나갈 것이다"고 강조했다.

SAP 아시아 태평양 지역 어데어 폭스 마틴 회장은 "SAP는 삼성전자와 함께 SAP HANA 플랫폼을 이용하는 고객사를 위한 차세대 인메모리 솔루션을 개발할 계획"이라며 "삼성전자와 포괄적인 파트너십을 맺으면서 혁신을 달성하고, 디지털 경제에서 고객의 성공적인 비즈니스를 지원하기 위한 노력의 일환이다"고 밝혔다.

한편 양사는 차세대 메모리 공동 연구와 사업화 추진을 통해 글로벌 인메모리 솔루션 시장의 혁신을 선도한다는 전략이다.