삼성전자가 1테라비트(Tb) 용량을 갖춘 쿼드레벨셀(QLC) 9세대 낸드플래리를 업계 최초로 양산한다.

삼성전자가 인공지능(AI) 시대 초고용량 서버 솔리드스테이트드라이브(SSD)를 위한 9세대 V낸드를 출시했다고 12일 밝혔다.

삼성 9세대 V낸드는 '채널 홀 에칭' 기술을 활용해 더블 스택 구조로 업계 최고 단수를 구현해냈다.

채널 홀 에칭은 몰드 층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 홀을 만드는 기술이다.

특히 이번 QLC 9세대 V낸드는 셀과 페리의 면적을 최소화해 이전 세대 QLC V낸드와 비교해 비트 밀도가 약 86% 증가했다.

V낸드의 적층 단수가 높아질수록 층간·층별 셀 특성을 균일하게 유지하는 것이 더욱 중요해졌다.

삼성전자 관계자는 "이번 V낸드 제품에 '디자인드 몰드' 기술을 활용해 전작 대비 데이터 보존 성능을 20% 높였다"고 설명했다.

디자인드 몰드는 셀 특성 균일화 및 최적화를 위해 셀을 동작시키는 워드라인(WL)의 간격을 조절해 적층하는 기술이다.

삼성전자는 이번 QLC 9세대 V낸드가 이전 세대 제품보다 쓰기 성능은 100%, 데이터 입출력 속도는 60% 개선됐다고 강조했다.

아울러 낸드 셀을 구동하는 전압을 낮추고 필요한 비트라인(BL)만 센싱해 전력 소모를 최소화한 '저전력 설계 기술'로 데이터 읽기, 쓰기 소비 전력도 각각 약 30%, 50% 감소한 것으로 나타났다.

허성회 삼성전자 메모리사업부 플래시개발실 부사장은 "9세대 TLC 양산 4개월 만에 9세대 QLC V낸드 또한 양산에 성공함으로써 AI 용 고성능, 고용량 SSD 시장이 요구하는 최신 라인업을 모두 갖췄다"며 "최근 AI 용으로 수요가 급증하고 있는 기업용 SSD 시장에서의 리더십이 더욱 부각될 것"이라고 밝혔다.